PBSS5240TVL دیتاشیت

PBSS5240TVL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS5240TVL
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت PBSS5240TVL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS5240TVL
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 480mW
  • Transition Frequency (fT): 200MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 300@100mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 240mV@2A,200mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه